Электронные и оптоэлектронные ИС, их характеристики: обзор преимуществ и недостатков. Цифровая микрооптоэлектроника. Николай Петрович Проскурин

Образования Украины по направлению «Приборостроение» (приказ №271 от 15.08.1996г.) на кафедре ФБМЭ ЗГИА в 1999—2004гг. (при поддержке Института Физики Полупроводников НАН Украины, приказ №233-вк от 01.12.1999г.), составной частью которой были: выбор базиса оптоэлектронных логических вентилей КИПТ; исследование мало- и микромощных режимов их работы; макетирование и моделирование оптоэлектронных устройств на их основе; расчет полупроводниковых структур (ППС) типа ФП и СД ИК диапазона для быстродействующих микромощных оптопар, которые входят в схемы логических вентилей; разработка эскиза конструкции ИС с оптическими связями в виде устройства логической обработки, преобразования и коммутации оптических цифровых сигналов; оценка технологии их изготовления. Часть результатов исследования отражена в ежегодных отчетах кафедры ФБМЭ ЗГИА по указанной НИР.

      Цель работы. Целью диссертации является повышение эксплуатационных характеристик схем оптоэлектронных логических элементов использованием мало- и микромощных режимов переключения СД на начале линейной части ВАХ и разработка на их основе устройств логической обработки, преобразования и коммутации. Для достижения выбранной цели необходимо было:

      – выполнить анализ схем модуляции излучения светодиодов и провести экспериментальные исследования их переключательных режимов (на трех типах оптопар), которые работают на начале линейной части ВАХ, определить частотные зависимости параметров их переключения от типа фотоприемника в схемах ОЛЭ КИПТ;

      – исследовать маломощные макеты оптоэлектронных логических устройств «R-S триггер», «кольцевой генератор импульсов» (КГИ) и провести моделирование электрических схем оптоэлектронных логических вентилей и устройств на их основе;

      – исследовать адаптивность ФП на основе фототранзистора (ФТр.) с базовым выводом и оценить границу его подстройки к уровням мощности входных оптических цифровых сигналов в микромощных логических схемах nИЛИ-НЕ на модели оптопары;

      – провести разработку конструкции элементов оптопары ОВЧ диапазона: излучатель – светодиод на соединениях GaAs, фотоприемник – p-i-n ФД с УФ на ВЧ биполярном Тр. на Si;

      – провести физикотопологическое проектирование ППС и выбор программной среды для расчета элементов ОВЧ оптопары (СД и ФП), формализовать их параметры и промоделировать микромощные схемы ОЛЭ и ОЛУ;

      – обосновать конструкцию оптоэлектронного устройства логической обработки, преобразования и коммутации оптических ЦС в виде ИС с оптическими связями (на микромощных схемах ОЛЭ nИЛИ-НЕ) и технологию ее изготовления.

      Объект исследования – оптоэлектронные явления в полупроводниках.

      Предмет исследования – разработка функциональных устройств оптоэлектроники в виде мало- и микромощных оптопар ОВЧ диапазона и логических схем.

      Исследовательские