Применение квантового туннельного эффекта код. Илья Зайцев

и управляемой толщины пленки жидкости. Вычислив, исходя из полученных данных, количество энергии, подаваемой на приемную антенну от антенны излучения, снижающее температуру лизиса, и вероятностный результат, что данная величина меньше выхода энергии от реакции окисления в камере сгорания.

      Убедившись в данном, мы сможем утверждать, что применение квантовой структуры энергетических уровней кристалла полупроводников, в том числе арсенида галлия, соответственно процесса туннельной эмиссии электронного газа на твердую поверхность и взаимодействия электронов холодной плазмы с тонкой пленкой, скользящей по поверхности эмиттера, то есть катализ холодной плазмой лизиса жидкости в пленке дает нам экзотермический выход от процесса термолизиса воды с последующим горением компонентов. То есть применение (см. выше) физических свойств квантового уровня материальных объектов и взаимодействие данных свойств с химическим уровнем материи позволяет наряду с физическими свойствами ядер атомов, реакции термоядерного синтеза, дает нам метод применения низкомолекулярных неорганических соединений, воды, в качестве источника энергии, топлива.

      Данная величина, а именно рассмотренная энергетическая трата, в расчете есть в сумме с необходимой затратой электрической энергии на подпитку баланса электронного газа в системе, так как плазма диффундирует и далее уносится газами, не возобновляется необходимо доставить электроны (лептоны) в систему, применяя контакт находящегося под током проводника с полупроводником эмиттера, количество затрачиваемой энергии на подпитку плазмы находится экспериментально.

      Далее, необходимо учитывать радиоотражающие свойства слоя полупроводника и массива антенны приема электромагнитного поля, численные значения данных характеристик. Экспериментально определяется толщина полупроводникового покрытия приемной антенны эмиттера (примеры формирования полупроводниковых пленок заданной толщины см. лит. 16).

      Глава пятая

      Выбор конструкционных материалов и геометрической формы частей аппарата и энергетического устройства в целом

      Выбор материала антенны приема электромагнитного поля обусловлен потерями электронов в процессе перехода, в том числе и туннельного, квантовых частиц из массива полупроводника в проводник. Исходя из этого, наносить полупроводниковое покрытие на проводник энергетически невыгодно, и вероятно, что потери энергии превысят эффект применения туннельной эмиссии электронов, поэтому применяем материал, способный отражать электромагнитное поле. Причем сопротивление массива материала, контактирующего со слоем полупроводника, должно настолько превышать сопротивление проводника, что величина потерь минимальна и эффект туннельной эмиссии энергетически выгоден.

      Данный материал – диэлектрик. То есть антенна приема электромагнитного поля,