Название | Применение квантового туннельного эффекта код |
---|---|
Автор произведения | Илья Зайцев |
Жанр | Научная фантастика |
Серия | |
Издательство | Научная фантастика |
Год выпуска | 0 |
isbn | 9785005655547 |
Глава вторая
Объекты эффекта и туннельный эффект в энергетическом устройстве
Рассмотрим объекты туннельного эффекта, то есть свойства и характеристики частиц субстрата, обуславливающие возможность обнаружения сторонним наблюдателем данного физического процесса и граничные условия существования, то есть осуществления данного процесса обнаруживаемыми наблюдателем частями, частицами материального субстрата.
Данная часть материального субстрата – газ, состоящий из квантовых частиц, лептонов, другими словами, электронов и далее более локализованных относительно стороннего наблюдателя частиц атомов, нуклонов, ядер части субстрата, твердого тела, определенного нами в целом, что объект есть кристалл полупроводника химического соединения, арсенида галлия. В целом мы можем утверждать, что данные лептоны и нуклоны организованы в пространстве-времени и образуют кристаллическую решетку.
Далее – силы, определяющие возможность взаимодействия между частицами субстрата, и обстоятельства, определяющие возможность обнаружения туннельного эффекта. Определяющая сила – сила взаимодействия между зарядами противоположного знака лептонов, электронов и нуклонов ядер кристалла полупроводника, и нам известно, что сила взаимодействия между зарядами нуклонов и ядер определяет химическую связь в веществе, химическом соединении и относительно туннельного эффекта, туннельной эмиссии – ширину энергетического барьера, преодолеваемого квантовыми частицами, электронами.
Характеристики частиц субстрата, определяющие возможность наличия обстоятельств преодоления энергетического барьера, то есть силы взаимодействия между зарядами противоположного знака, рассмотрены далее (прим. см. лит. 3, 13). Заряд стационарных относительно наблюдателя нуклонов так организует электронный газ, что химическая связь в кристалле обобщена, то есть определенные электронные оболочки надмолекулярны, имеются общие для кристалла полупроводника в целом, внешние геометрически в пространстве-времени электронные оболочки, а графически в зонной теории строения твердых тел, есть зона проводимости, более нижняя электронная оболочка в пространстве-времени и графически в энергетическом спектре электронных уровней атомов кристалла расположенная ниже валентная зона.
Между ними «располагается» вакуум, то есть пустая, другими словами, запрещенная зона и в спектре энергетических уровней, геометрически «область» пространства-времени,