Применение квантового туннельного эффекта код. Илья Зайцев

квантовыми частицами энергетического барьера.

      Энергетическая трата существенно меньше, так как система электронных уровней, энергетические оболочки кристалла, обладают параметрами, отличающимися от соответствующих характеристик молекулярных орбиталей.

      Дополнительная трата на данный процесс – это энерготрата на усиление и стимулирование выхода электронов, туннельной эмиссии на поверхность внешним электромагнитным полем, то есть энерготрата, часть суммарной траты на работу антенны излучения СВЧ. Электромагнитное поле данного устройства воздействует на поверхность эмиттера плазмы и на рассмотренный ниже процесс.

      Далее на поверхность кристалла эмиттера, покрытого пленкой плазмы, то есть на поверхности твердого тела есть распределенный отрицательный заряд, поступает жидкость, распределяемая по ней центробежными и молекулярными силами в виде тонкой пленки.

      Необходимая для эффективного, то есть энергетически выгодного процесса лизиса расчетная толщина пленки жидкости определяется, первое, исходя из физическо-химических свойств полупроводника. Максимального объема плазмы, генерируемого кристаллом минимально возможных размеров, определенный объем, заряд в кулонах, способен катализировать определенное количество находящейся в пленке жидкости. Что, в свою очередь, определяется квантовой физико-химической структурой кристалла полупроводника и такой толщиной слоя воды, что жидкость реагирует полностью с объемом выделяющейся плазмы так, что химические связи воды ослабевают настолько, что вероятно, что процесс в целом экзотермичен, то есть толщина пленки определяется экспериментально.

      Источник внешнего электромагнитного поля, антенна излучения, воздействует на пленку воды заданной толщины, и в процессе взаимодействия поля с ослабленными плазмой внутримолекулярными и водородными связями химические связи молекул в пленке разрываются, вода разлагается на составляющие – водород и воду. Вырожденная плазма, электронный газ, распределенный по поверхности экрана-эмиттера, есть катализатор, в процессах на уровне химических реакций не расходуется, и исходя из этого подпитка необходима для возмещения уноса плазмы газами.

      Далее, для исключения из процесса энергетических потерь частота подпитки по расположению максимумов противоположна частоте подачи внешнего переменного импульса от СВЧ-источника, и подпитка в общей цепи взаимосвязанных событий в устройстве в пространстве-времени есть первый акт. Делаем следующий вывод: восстановителем связей воды в данном энергетическом устройстве является полупроводник, в кристалле арсенида галлия есть энергетические уровни, с которых электроны способны туннелировать с выходом на поверхность, процесс туннельной эмиссии и образования плазмы на поверхности эмиттера.

      Процесс возможно стимулировать внешним электромагнитным полем, уменьшая