Все науки. №6, 2022. Международный научный журнал. Ибратжон Хатамович Алиев

и необыкновенного лучей, E_e и E₀^* – проекции вектора поляризации света на оптические оси кристалла,

      В этом случае фотовольтаический ток (2) осциллирует в кристалле с периодом

      Как указывалось в [4] и как видно из (2) пространственно осциллирующий фотовольтаический ток (ПОФТ) может экспериментально наблюдаться в условиях сильного поглощения света.

      где α^* – коэффициент поглощения.

      1. ПРОСТРАНСТВЕННО ОСЦИЛИРУЮЩИЙ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЙ ТОК В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКЕ SbSi

      В настоящей работе обнаружен и исследован пространственно-осциллирующей фотовольтаический ток (ПОФТ) в направлении [100] в сегнетоэлектрике SbSI при освещении поляризованным светом в направлении [010].

      Сульфоиодид сурьмы (SbSI) принадлежит к классу халькогенидов металлов пятой группы A^VB^VIC^II, где A-Sb; Bi; B-S, Se, Te; C-CL, Br, I. Кристаллы SbSI и SbSI_xBr_1-x – двуосные, обладают большим двойным преломлением, ниже температуры. Кюри Т_с=22⁰С кристаллы SbSI принадлежат к классу mm2 и обладают ромбической симметрией. При фазовом превращении происходит исчезновение центра симметрии, следовательно, ниже точки перехода кристаллы SbSI становятся сегнетоэлектриками.

      Фазовый переход при 22⁰С был зарегистрирован впервые Фатуццо [5] при изменении температурной зависимости диэлектрической проницаемости. Кристаллы обладают ярко выраженными полупроводниковыми свойствами, их фотоэлектрические свойства хорошо изучены [1].

      Измерения проводились для монокристаллов SbSI в сегнетоэлектрической фазе при температуре Т=133 К. Кристалл освещался плоско поляризованным светом с помощью ксеноновой лампы и монохроматора ЗМР. Измерялся стационарный фотовольтаический ток J по ранее описанному [1] методу. В соответствии с симметрией SbSI (точечная группа mm²) при измерении J_z (z – направление спонтанной поляризации) и освещении кристалла в x и y направлениях ПОФТ не возникает. Выражение для фотовольтаического тока J_z при освещении в x и y направлениях, соответственно, имеет вид:

      где I—интенсивность света, β—угол между плоскостью поляризация света и осью z. На рис.1 кривая 1 представляет экспериментальную угловую зависимость J_z (β) для λ=600 нм при освещении вдоль [100]. Из сравнения экспериментальных угловых зависимостей J_z (β) с (4) и (5) были оценены численные значения α_ιjκ или фотовольтаические коэффициенты

      С учетом плеохроизма и анизотропии отражения света в SbSI [6] были получены следующие значения:

      К₃₁4∙10^—8; К₃₂3∙10^—8; K₃₃ (2—3) ∙10^—8А∙см∙ (Вт) ^-1. Таким образом, в SbSI фотовольтаические коэффициенты K₃₁, K₃₂, K₃₃ более чем на порядок превышают соответствующие коэффициенты в LiNbO₃: Fe.

      Рис.1. Зависимость фотовольтаического тока J_z (1) при l = 600 нм и J_x (2) при l = 460 от ориентации плоскости поляризации света в SbSI.

      Согласно