Применение квантового туннельного эффекта код. Илья Зайцев

работает исходя из следующей технической схемы.

      С внутренней стороны краевой части экрана-эмиттера электронной плазмы расположен токопроводящий СП, форма (сегмент сферы) – шаровой пояс. На поверхность экрана-эмиттера туннелирует под действием внешнего источника СВЧ ЭМ поля электронный газ, плазма, то есть поверхность эмиттера (и краевая поверхность соответственно) покрыта тонкой плазменной пленкой. Так как данный газ состоит из электронов, лептонов с полуцелым спином, соответственно, газ взаимодействует с магнитным полем, плазма выталкивается данным полем.

      СП шаровой пояс – СП электромагнит, и, соответственно, СВЧ излучение проникает в зазор между электромагнитом и поверхностью эмиттера так, что на краевой поверхности есть выход плазмы. Электронный газ взаимодействует с СП электромагнитом, плазма выталкивается магнитным полем электромагнита (ЭСПа), давление газа эмитировавшей плазмы вращает экран на СП подвеске, соответственно, потери энергии на преодоление силы трения минимальны.

      Материал (конструкционный материал) движителя, вращающего экран-эмиттер холодной электронной плазмы катализатора термолиза воды в тонкой пленке, работает в условиях температур плазмокаталитического лизиса воды в тонкой пленке СВЧ полем соответственно, так как данный материал – ВТСП, материал СП – металлокерамика. Держатели СП выполнены из диэлектрического материала, выдерживающего температурную нагрузку в интервале температур лизиса и отражающего ЭМ поле, данный материал – кордиерит. Нижняя часть СП защищена кордиеритом от воздействия тепловой нагрузки СВЧ ЭМ поля, во внутренней полости держателей (кордиеритовых трубок) находится СП провод электрического тока.

      Выбор конструкционного материала корпуса ЭУ и стенок отсеков. Конструкционный материал корпуса ЭУ (плоской башни), то есть обечайки корпуса, эллиптических днищ, полусферических камер плазмокаталитической выработки водорода, расположенных сверху и снизу ЭУ, торцевого подопорного борта в стационарном варианте ЭУ, стенок внутренних отсеков ЭУ, то есть полуконических нижних частей камер выработки водорода, расположенных внутри корпуса ЭУ, стенок центральной камеры, расположения платформы генераторов СВЧ ЭМ поля, элементов (частей) камеры термоэмиссионного преобразователя тепловой энергии водорода в электрическую энергию, крепежных деталей платформы расположения генераторов СВЧ ЭМ поля, исходя из критериев соответствия характеристик материала техническим параметрам и условиям работы ЭУ, механическим, температурным и крионагрузкам.

      Для корпуса ЭУ – титановый криосплав. Материал полусферических камер плазмокаталитической выработки водорода, устойчивый к воздействию крио и температур в интервале термолиза воды в тонкой пленке на вращаемом экране туннельном эмиттере электронной плазмы.

      Выбор конструкционного материала тепловой и СВЧ изоляции камер СВЧ плазмокаталитической выработки водорода,