Журнал PC Magazine/RE №4/2011. PC Magazine/RE

прошло и четырех лет, как память DDR2 была практически вытеснена с рынка.

      Даже в двух предыдущих обзорах модулей ОЗУ на страницах PC Magazine/RE (за 2010 и 2009 гг.) память DDR2 уже не фигурировала, хотя и продолжала пользоваться устойчивым спросом – в первую очередь потому, что ее активными покупателями выступали сборщики персональных компьютеров, в особенности мобильных. Популярные в сезоне 2009/10 нетбуки до выпуска последнего на сегодня поколения процессоров Intel Atom в принципе не были готовы к работе c DDR3, да и полноформатные ноутбуки ради снижения цены многие производители продолжали комплектовать устаревающей разновидностью DRAM (а заодно и рассчитанными на взаимодействие с ней не самыми свежими наборами системной логики и процессорами).

      В начале января стало известно о том, что компания Samsung – один из ведущих производителей микросхем DRAM – направила своим партнерам, занимающимся разработкой и выпуском контроллеров оперативной памяти, первые образцы DDR4. Вряд ли модули ОЗУ этой разновидности (как и готовые к работе с ними ЦП и НМС) появятся в продаже раньше конца 2012 г. И все же перенос внимания производителей DRAM с нынешнего на следующее ее поколение подтверждает: память DDR3 достигла подлинной зрелости, и в ближайшие как минимум пару лет будет безусловно доминировать на рынке.

Цена победы

      По данным аналитиков рынка компьютерной памяти iSuppli, в октябре 2010 г. произошло важное событие, окончательно решившее судьбу DDR2. Именно тогда оптовые цены на модули DDR2 и DDR3 сравнялись, после чего продолжили снижение уже вместе. На протяжении всего 2010 г. наблюдалось ощутимое падение оптовых цен на память DRAM. Если в июне 2-Гбайт модуль DDR2 стоил 38,8 долл., а DDR3 того же объема – 44,4 долл., то к декабрю память нового поколения оказалась даже дешевле: 21,0 долл. против 21,5 за те же 2 Гбайт.

      В 2007 г. DRAM нового типа не демонстрировала рекордной производительности. К моменту появления DDR3 на рынке технология DDR2 уже фактически достигла совершенства, обеспечивая изготовленным по ней модулям памяти отличную латентность, высокие рабочие частоты и приемлемое энергопотребление. Однако за прошедшие четыре года потенциал DDR3 сумел полностью раскрыться. Теперь при сопоставимых рабочих частотах новые модули DRAM демонстрируют вполовину более высокую скорость записи данных и примерно на треть сниженное энергопотребление по сравнению с DDR2.

      Примечания