Все науки. №12, 2023. Международный научный журнал. Ибратжон Хатамович Алиев

тонкая пленка.

      Введение

      Интенсивное развитие микро – и нано электроники, новых технологических возможностей изготовления сложных твердотельных низкоразмерных структур, стимулируют разработки новых неразрушающих диагностических методами. Создания оригинальных оптоэлектронных устройств стимулируютдальнейшее изучение новых оптических и фотоэлектрических явлений в активных пленочных элементах. [1]

      Полупроводниковые плёнки CdTe являются важным материалом для создания фотоприёмных устройств на основе их гетероструктур, работающих в ближнем (0,4 – 3 мкм) и дальнем (8 – 14 мкм) инфракрасных диапазонах [2—4]. Актуальной является также проблема получения гетероструктур на основе фоточувствительных слоев со слоями разного типа проводимости и зонной структурой в процессе выращивания высокотемпературным термическим испарением. В частности, перспективной примесью для получения материалаp-типа является серебро и медь [7].

      В данной работе исследовано внутренней структуры и новых фотоэлектрических свойств активных тонких плёнок CdTe с глубокими примесными уровнями и их гетероструктур в условиях внешних воздействий.

      Методика

      В работе изучены низко размерные (размеры кристаллических зерен составляет 0,05—0,1мкм) тонкие пленки p-CdTe полученные на SiO₂-Si. Разработано технология получения тонких пленок и пленочных структур на основе CdTe и установлены оптимальные параметры технологии получения этих пленочных элементов [1].Полупроводниковый материал CdTe и примеси Ag, Cu наносились в вакууме 10^—5 мм. рт. ст. из отдельного алундового тигля на окислённую поверхность кремния легированной бором, прогретую 500 – 520 К, толщина плёнок была 1,0—2,0 мкм, а скорость напыления CdTe 2,0 нм/с.

      Известно, что в процессе выращивания плёнки CdTe, примеси серебро и медь встраивается, в объем растушую плёнку в виде комплексов, имеющих акцепторные свойства [2].

      Экспериментальные результаты и их обсуждение

      Изучение спектров тока короткого замыкания (I_кз) структурыCdTe-SiO₂-Siв зависимости от величины внешнего коронного разряда в статическом режиме наблюдается смещение спектров в коротковолновую область (рис.1).

      Рис.1.Спектральные зависимости I_кз для структуры CdTe-SiO₂-Si от величины потенциала коронного разряда: _jкр =80 В (кривая 1), 50 В (2),0 В (3).

      Следует отметить, что при коронном разряде наблюдается явное изменение энергии активации глубокого уровня (0,7 эВ, 1,15 эВ) в зависимости от потенциала коронного разряда. Это показывает, что уровень находиться в области объемного заряда, у слоя SiO₂