К. И. Таперо
Список книг автора К. И. ТапероРасчет частоты и вероятности возникновения одиночных сбоев в бис
Излагаются вопросы, связанные с решением задач, необходимых для выполнения курсовой работы «Расчет частоты и вероятности возникновения одиночных сбоев в БИС» по дисциплине «Основы радиационной стойкости изделий электронной техники космического применения». Методические указания содержат теоретические сведения, постановку задачи и исходные данные для курсовой работы, способы решения поставленных задач. Кроме того, приведен пример выполнения всех необходимых расчетов.
Основы радиационной стойкости изделий электронной техники. Радиационные эффекты в изделиях электронной техники
Учебное пособие посвящено вопросам деградации полупроводниковых приборов и интегральных схем вследствие дефектов, образующихся при воздействии космической радиации. Рассмотрены следующие вопросы: радиационные условия в космосе; влияние радиационно-индуцированных структурных повреждений на свойства полупроводников; деградация кремниевых приборов и микросхем вследствие радиационных эффектов при воздействии ионизирующих излучений космического пространства; влияние радиационно-индуцированных структурных повреждений на деградацию изделий оптоэлектроники; особенности испытаний изделий электронной техники и радиоэлектронной аппаратуры на стойкость к воздействию ионизирующих излучений космического пространства.
Основные свойства высокотемпературных сверхпроводников
Учебное пособие представляет собой описание компьютеризированного комплекса, позволяющего проводить измерения параметров высокотемпературных сверхпроводящих материалов на современном уровне. Измерения проводятся в автоматизированном режиме под управлением персонального компьютера в операционной системе Windows. Учебное пособие позволяет углубить понимание явления сверхпроводимости, изучать свойства различных тонкопленочных структур, выполненных из высокотемпературных сверхпроводящих материалов. Предназначено для бакалавров при работе над курсовыми научноисследовательскими работами в рамках программ бакалавриата и будет полезно магистрам, аспирантам и научным сотрудникам, выполняющим работы исследовательского плана.
Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения. Основы радиационной стойкости изделий электронной техники космического применения
В курсе лекций по дисциплине «Основы радиационной стойкости изделий электронной техники космического применения» рассмотрены следующие вопросы: основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками; изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур вследствие введения структурных дефектов при радиационном облучении; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики полупроводниковых приборов и микросхем; особенности деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения; одиночные события в изделиях электроники и микроэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства; численное моделирование радиационных эффектов в кремниевых приборах при воздействии ионизирующего излучения космического пространства.
Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения
В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро– и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO 2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро– и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.