Объектом исследования являются сверхпроводниковые наноструктуры, изготовленных из тонких пленок сверхпроводников, таких как NbN, WSi и пленки алмаза с примесью бора. Изучение физики неравновесного состояния в тонкопленочных сверхпроводящих наноструктурах, возникающего при поглощении инфракрасных фотонов. Изучение динамики процессов энергетической релаксации и механизма возникновения резистивного состояния в сверхпроводниковых наноструктурах, изготовленных из тонких сверхпроводящих пленок NbN, WSi и пленках алмаза, легированного бором.
В монографии рассматриваются методы повышения квантовой эффективности сверхпроводниковых однофотонных детекторов SSPD в виде узких полосок, изготовленных из тонкой пленки NbN. В частности, рассматривается роль абрикосовских вихрей в формировании резистивного состояния в узкой сверхпроводящей полоске при поглощении инфракрасных фотонов. Показано, что уменьшение ширины сверхпроводящей полоски приводит к увеличению квантовой эффективности. Также рассматривается увеличение квантовой эффективности путем включения детектора в микрополостной четвертьволновый резонатор. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих исследователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники и радиофизики.